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LED显示屏光衰的原因

  LED的长时间工作会光衰引起老化,尤其对大功率的来说,光衰问题更加严重。在衡量寿命时,仅仅以灯的损坏来作为LED显示屏寿命的终点是远远不够的,应该以LED的光衰减百分比来规定LED的寿命,比如5%或10%,这样更有意义,那下面就给大家来讲解一下它光衰的原因是什么吧。
  LED显示屏光衰:在对感光鼓表面充电时,随着电荷在感光鼓表面的积累,电位也不断升高,达到"饱和"电位,就是较高电位。表面电位会随着时间的推移而下降,一般工作时的电位都低于这个电位,这个电位随时间自然降低的过程,称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时,暗区(指未受光照射部分的光导体表面)电位仍处在暗衰过程:亮区(指受光照射部分的光导体表面)光导层内载流子密度迅速增加,电导率急速上升,形成光导电压,电荷迅速消失,光导体表面电位也迅速下降。称之为"光衰",最后趋缓。
  光致衰退效应:也称S-W效应。a-SiH薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降称为Steabler-Wronski效应。对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-SiH薄膜材料的费米能级EF的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。
  在a-SiH薄膜材料中能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键,这些键的键能较大不容易被打断。由于a-SiH材料结构上的无序,使得一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当,可以被外界能量打断,形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构,则a-SiH薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-SiH薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defectpool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
  大家在学习了上述关于LED显示屏光衰的原因,相信大家都有一定的帮助了,希望大家都可以学以致用,想了解更多资讯,请继续关注我们吧。
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